从Lumileds公司Luxeon系列LED的横切面可以得知，硅封胶固定住LED裸晶与裸晶上的荧光质（若有用上荧光质的话），然后封胶之上才有透镜，而裸晶下方用焊接（或导热膏）与硅子镶嵌芯片（SiliconSub-mountChip）连接，此芯片也可强化ESD静电防护性，往下再连接散热块，部分LED也直接裸晶底部与散热块相连。

Lumileds公司Luxeon系列LED的裸晶实行覆晶镶嵌法，因此其蓝宝石基板变成在上端，同时还加入一层银质作为光反射层，进而增加光取出量，此外也在SiliconSubmount内制出两个基纳二极管（ZenerDiode），使LED获得稳压效果，使运作表现更稳定。（图片来源：Lumileds.com）

　　由于增加光取出率（ExtractionEfficiency，也称：汲光效率、光取效率）也就等于减少热发散率，等于是一个课题的两面，而关于光取出率的提升请见另一篇专文：高亮度LED之「封装光通」原理技术探析。在此不再讨论。

裸晶层：基板材料、覆晶式镶嵌

　　如何在裸晶层面增加散热性，改变材质与几何结构再次成为必要的手段，关于此目前最常用的两种方式是：1.换替基板（Substrate，也称：底板、衬底，有些地方也称为：Carrier）的材料。2.经裸晶改采覆晶（Flip-Chip，也称：倒晶）方式镶嵌（mount）。

　　先说明基板部分，基板的材料并不是说换就能换，必须能与裸晶材料相匹配才行，现有AlGaInP常用的基板材料为GaAs、Si，InGaN则为SiC、Sapphire（并使用AlN做为缓冲层）。

为了强化LED的散热，过去的FR4印刷电路板已不敷应付，因此提出了内具金属核心的印刷电路板，称为MCPCB，运用更底部的铝或铜等热传导性较佳的金属来加速散热，不过也因绝缘层的特性使其热传导受到若干限制。（制图：郭长佑）

　　对光而言，基板不是要够透明使其不会阻碍光，就是在发光层与基板之间再加入一个反光性的材料层，以此避免「光能」被基板所阻碍、吸收，形成浪费，例如GaAs基板即是不透光，因此再加入一个DBR（DistributedBraggReflector）反射层来进行反光。而Sapphire基板则是可直接反光，或透明的GaP基板可以透光。

　　除此之外，基板材料也必须具备良好的热传导性，负责将裸晶所释放出的热，迅速导到更下层的散热块（HeatSlug）上，不过基板与散热块间也必须使用热传导良好的介接物，如焊料或导热膏。同时裸晶上方的环氧树脂或硅树脂（即是指：封胶层）等也必须有一定的耐热能力，好因应从p-n接面开始，传导到裸晶表面的温度。
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